工研院發表車用驅動碳化矽功率模組 挺進亞洲最大電子展 搶攻國際高功率電力電子市場

 

　　【記者楊環／新竹報導】工研院22日假日本國際電子製造關連展（NEPCON JAPAN）發表車用碳化矽（SiC）技術解決方案，以「電動車驅動及充電方案」、「功率氮化鎵（GaN）」、「功率氧化鎵（Ga2O3）」以及「400kW大電力直流變壓器」四大專區，展示逾10項新一代寬能隙功率半導體前瞻技術成果，吸引逾 8 萬人次參觀及眾多車輛零件商、車廠製造商洽談合作，顯現臺灣能力深受國際肯定。

 

　　工研院電子與光電系統研究所所長張世杰表示，電動車是淨零運輸的主流，為了符合低碳永續趨勢又要兼具續航力，且能在高壓、高溫下穩定運行，具備更高的功率密度的寬能隙化合物半導體（WBG）材料之一碳化矽（SiC），成為目前電動車技術深受關注的元件材料。本次展出與台達共同開發的碳化矽功率模組，是具備提升電動車動力效能、延長續航能力，期盼接軌國際市場趨勢，打入歐美日汽車產業關鍵客戶，實現經濟與環境效益雙贏。

 

　　工研院指出「1200V/660A T2系列碳化矽功率模組」採用碳化矽功率半導體製程，主要應用於牽引變頻器（Traction Inverter），加強散熱效果降低耗能，同時提高系統功率密度，有效降低變頻器產品的體積與重量，延長電動車續航里程，提升車輛加速與動力輸出。展區也展出工研院與美國阿肯色大學（UA）合作，工研院開發的3.3kV碳化矽功率模組整合於400kW直流變壓器，證實同樣於直流電壓1800V、電流375A、操作溫度150℃的條件下，模組切換損失比商用模組節省30%，系統效率並可達到98%，推升未來再生能源及儲能等超高電壓的電力轉換系統應用升級。

 

圖說：工研院22日假日本國際電子製造關連展（NEPCON JAPAN）發表車用碳化矽（SiC）技術解決方案。

（記者楊環攝）